SENC23T12V2U 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率開關(guān)元件,廣泛應(yīng)用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及各類電力電子�(shè)備中�
該器件采用增�(qiáng)� GaN FET �(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),具有極低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠顯著提高系�(tǒng)的功率密度和能效。此�,其封裝形式緊湊,適合對(duì)空間要求較高的應(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):SENC23T12V2U
類型:GaN 功率晶體�
額定電壓�650 V
額定電流�15 A
�(dǎo)通電阻:12 mΩ(典型值)
柵極�(qū)�(dòng)電壓�4.5 V ~ 6 V
最大工作結(jié)溫:175 °C
封裝形式:TO-263-3L
功耗:180 W(最大值)
SENC23T12V2U 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:支持高達(dá) 650 V 的工作電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
2. 極低�(dǎo)通電阻:僅為 12 mΩ,減少傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:具備極短的開關(guān)�(shí)間,有效降低開關(guān)損��
4. 高熱�(wěn)定性:能夠在最� 175°C 的結(jié)溫下正常工作,適用于高溫�(huán)境�
5. 小型化設(shè)�(jì):采� TO-263-3L 封裝,節(jié)省電路板空間,同�(shí)提供良好的散熱性能�
6. 增強(qiáng)� GaN 技�(shù):相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,具有更高的功率密度和更低的寄生電感�
SENC23T12V2U 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):實(shí)�(xiàn)高效、緊湊的�(shè)�(jì)方案�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器:特別適用于需要高頻工作的降壓或升壓轉(zhuǎn)換器�
3. 電動(dòng)工具:為�(wú)刷直流電�(jī) (BLDC) 提供高效的驅(qū)�(dòng)方案�
4. 新能源汽車:用于車載充電� (OBC) � DC-DC �(zhuǎn)換模��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如伺服驅(qū)�(dòng)�、逆變器等功率控制單元�
6. 充電器和適配器:支持快充技�(shù),提升充電效��
SENC23T15V2U, SENC23T12V3U