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SEDFN03V4 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 21:31:41 查看 閱讀:7

SEDFN03V4是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用超小型DFN封裝。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。它主要設(shè)計(jì)用于需要高效率和小尺寸解決方案的場(chǎng)景,例如電源管理、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及便攜式電子設(shè)備中的電池保護(hù)電路。
  SEDFN03V4因其出色的性能表現(xiàn),被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、通信設(shè)備以及其他需要高效功率管理的領(lǐng)域。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:2.6A
  導(dǎo)通電阻:75mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
  柵極電荷:10nC(典型值)
  輸入電容:160pF(典型值)
  工作溫度范圍:-55°C至+150°C
  封裝形式:DFN2020-6

特性

SEDFN03V4具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 小型DFN封裝,節(jié)省PCB空間,適合緊湊型設(shè)計(jì)。
  3. 快速開(kāi)關(guān)速度,降低開(kāi)關(guān)損耗,提升高頻應(yīng)用性能。
  4. 較寬的工作溫度范圍,確保在惡劣環(huán)境下的可靠性。
  5. 高靜電放電(ESD)防護(hù)能力,增強(qiáng)器件穩(wěn)定性。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

應(yīng)用

SEDFN03V4適用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
  3. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的過(guò)流保護(hù)電路。
  5. 工業(yè)控制系統(tǒng)的功率管理模塊。
  6. 通信設(shè)備中的信號(hào)切換與功率調(diào)節(jié)電路。

替代型號(hào)

AO3400
  IRLML6402
  FDMQ8203

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