SEBLC12C 是一款基于硅基技�(shù)的高頻功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的溝槽式工藝制造,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,從而顯著提升了系統(tǒng)的效率和性能�
SEBLC12C 的設(shè)�(jì)注重�(yōu)化了�(dòng)�(tài)和靜�(tài)特性之間的平衡,能夠在高頻率下提供�(yōu)異的效能表現(xiàn),同�(shí)保持良好的熱�(wěn)定性和可靠性�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
柵極電荷�75nC
輸入電容�1200pF
開關(guān)速度�15ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
SEBLC12C 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功率損��
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場��
3. �(nèi)置防靜電保護(hù)電路,提高了器件的魯棒��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于在緊湊型電路板中使��
5. 支持寬泛的工作溫度范�,適用于工業(yè)及汽車級(jí)�(huán)��
6. �(wěn)定的�(dòng)�(tài)特�,可減少電磁干擾(EMI)問��
7. 采用無鉛材料,符� RoHS �(biāo)�(zhǔn)�
SEBLC12C 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器的核心組��
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載控制與�(qū)�(dòng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)與控��
5. LED �(qū)�(dòng)電路中的高效功率管理�
6. 其他需要高性能功率 MOSFET 的應(yīng)用場��
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP5800