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SE36T2U02GT 發(fā)布時間 時間:2025/5/23 5:45:20 查看 閱讀:9

SE36T2U02GT是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等領(lǐng)域。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高效率和出色的熱性能等特點,適用于各種需要高效能和高可靠性的應(yīng)用場景。

參數(shù)

型號:SE36T2U02GT
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vdss):60V
  最大柵極源極電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):40A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ
  總功耗(Ptot):350W
  工作溫度范圍(Top r):-55℃ to +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

SE36T2U02GT具有非常低的導(dǎo)通電阻,僅為1.8mΩ,這使得其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效減少能量損耗并提升系統(tǒng)效率。
  此外,該器件支持高達60V的漏源電壓,確保了在多種電壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
  它的柵極電荷較低,有助于降低開關(guān)損耗,從而實現(xiàn)更快的開關(guān)速度和更高的工作頻率。
  同時,SE36T2U02GT采用了TO-247封裝形式,這種封裝具備良好的散熱性能,可有效延長器件使用壽命,并保證其在高溫條件下的可靠性。
  另外,這款MOSFET的工作溫度范圍寬廣,從-55℃到+175℃,適應(yīng)各種極端環(huán)境。

應(yīng)用

SE36T2U02GT主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),包括AC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/DC轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機驅(qū)動電路,如無刷直流電機控制器。
  3. 太陽能逆變器和其他可再生能源設(shè)備。
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護電路。
  6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制和保護功能。

替代型號

IRFZ44N
  FDP55N06L
  STP55NF06L

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