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SE26T35U15D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/20 16:15:15 查看 閱讀:18

SE26T35U15D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻工作條件下提供出色的性能。
  SE26T35U15D 的設(shè)計(jì)旨在滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高效能和小型化的需求。其封裝形式通常為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)類型,便于集成到各種電路板設(shè)計(jì)中。

參數(shù)

型號(hào):SE26T35U15D
  類型:N溝道 MOSFET
  Vds(漏源電壓):35V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):15mΩ
  Id(持續(xù)漏極電流):26A
  柵極電荷:18nC
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-220 或 DPAK

特性

SE26T35U15D 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠減少功率損耗并提高整體效率。
  2. 高擊穿電壓(Vds),確保在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
  3. 快速開關(guān)速度,降低開關(guān)損耗并適合高頻應(yīng)用。
  4. 高溫適應(yīng)性,允許在極端溫度范圍內(nèi)使用。
  5. 小型化封裝設(shè)計(jì),方便安裝在緊湊型電路板上。
  6. 出色的熱性能,有助于散熱管理。
  這些特點(diǎn)使 SE26T35U15D 成為需要高效功率轉(zhuǎn)換和可靠性的應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

SE26T35U15D 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于主功率級(jí)或輔助功率級(jí)的開關(guān)元件。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器:在降壓、升壓或反激式拓?fù)渲凶鳛楣β书_關(guān)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):控制直流電機(jī)或無刷直流電機(jī)的速度和方向。
  4. 負(fù)載開關(guān):實(shí)現(xiàn)快速開啟/關(guān)閉功能以節(jié)省功耗。
  5. 電池保護(hù)電路:防止過流、短路等異常情況。
  6. 工業(yè)自動(dòng)化:為各種工業(yè)設(shè)備提供可靠的功率處理能力。
  其卓越的性能使其成為眾多電力電子系統(tǒng)的核心組件。

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5500, BUK9N06-40E

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