SE24T2T02GZ 是一款高性能的電子存儲(chǔ)芯片,主要用于需要大容量和快速數(shù)據(jù)傳輸?shù)膽?yīng)用場(chǎng)景。該芯片采用了先進(jìn)的制程工藝,具備低功耗、高可靠性和長(zhǎng)壽命的特點(diǎn)。它廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、工業(yè)設(shè)備以及嵌入式系統(tǒng)中。
類(lèi)型:NAND Flash
容量:256GB
接口:PCIe Gen3 x4
工作電壓:1.8V/3.3V
封裝形式:BGA
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
數(shù)據(jù)保存時(shí)間:超過(guò)10年
寫(xiě)入壽命:3000次擦寫(xiě)周期
SE24T2T02GZ 提供了卓越的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能,采用3D TLC NAND技術(shù),極大地提升了存儲(chǔ)密度和速度。
其支持的PCIe Gen3接口能夠提供高達(dá)4GB/s的連續(xù)讀取速度和高達(dá)2GB/s的連續(xù)寫(xiě)入速度。
同時(shí),該芯片內(nèi)置ECC(錯(cuò)誤檢查與糾正)引擎,有效保證了數(shù)據(jù)的完整性。
此外,SE24T2T02GZ 還具有強(qiáng)大的電源管理功能,能夠在低功耗模式下維持穩(wěn)定的運(yùn)行狀態(tài)。
其寬廣的工作溫度范圍使得該芯片在極端環(huán)境下依然可以正常工作,進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。
SE24T2T02GZ 主要用于需要高效數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和快速訪(fǎng)問(wèn)的場(chǎng)景,包括固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、USB閃存盤(pán)、內(nèi)存卡、嵌入式存儲(chǔ)模塊等。
它也廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)控制設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、車(chē)載信息系統(tǒng)以及物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備中。
由于其大容量和高可靠性,SE24T2T02GZ 還非常適合用作數(shù)據(jù)中心和云計(jì)算環(huán)境中的存儲(chǔ)解決方案。
SE24T2T01GZ, SE24T2T04GZ