日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置:電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SE23T35B3.0B

SE23T35B3.0B 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 12:06:05 查看 閱讀:6

SE23T35B3.0B 是一款高性能的 N 溝道功率 MOSFET,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及電機驅(qū)動等應(yīng)用。該器件采用先進的溝槽式技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)生。
  其封裝形式通常為 TO-252(DPAK),具備出色的散熱性能,適合在緊湊型設(shè)計中使用。

參數(shù)

型號:SE23T35B3.0B
  類型:N 溝道功率 MOSFET
  VDS(漏源電壓):30V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻):3.0mΩ(典型值,10V 柵極驅(qū)動時)
  ID(連續(xù)漏極電流):35A
  Qg(柵極電荷):26nC
  fT(轉(zhuǎn)換頻率):2.4MHz
  結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

SE23T35B3.0B 具有以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on),能夠在高電流條件下保持高效運行。
  2. 快速開關(guān)能力,降低了開關(guān)損耗,特別適合高頻應(yīng)用。
  3. 高雪崩擊穿能量能力,增強了器件的魯棒性和可靠性。
  4. 緊湊型表面貼裝封裝,簡化了 PCB 布局設(shè)計。
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
  該器件的低 RDS(on) 和高電流承載能力使其成為高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

SE23T35B3.0B 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流器。
  3. 電池保護電路和負載開關(guān)。
  4. 工業(yè)電機控制和驅(qū)動。
  5. 汽車電子中的負載切換和電源管理。
  由于其高效率和低熱耗散的特點,這款 MOSFET 在需要高性能和高可靠性的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

替代型號

SE23T35B3.5B
  IRLZ44N
  FDP5580
  AO3400

se23t35b3.0b推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價