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SE08T2V02GC 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 17:39:42 查看 閱讀�16

SE08T2V02GC是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)動等場景。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
  這款MOSFET為N溝道增強(qiáng)型器�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)�。其出色的電氣特性和緊湊的封裝設(shè)�(jì)使其成為眾多電力電子�(yīng)用的理想選擇�

參數(shù)

型號:SE08T2V02GC
  類型:N溝道MOSFET
  Vds(漏源極耐壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�2.5mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):100A
  Qg(柵極電荷)�45nC
  EAS(雪崩能量)�2.5J
  f(工作頻率范圍):最高可�(dá)500kHz
  封裝形式:TO-247

特�

SE08T2V02GC具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導(dǎo)損耗�
  2. 高電流承載能�,支持高�(dá)100A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
  4. 良好的熱性能,確保在高功率密度環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. �(nèi)置ESD保護(hù),提高器件的抗靜電能��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  這些特性使SE08T2V02GC在各種工�(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品中表現(xiàn)出色�

�(yīng)�

SE08T2V02GC廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)動與控制
  4. 工業(yè)自動化設(shè)�
  5. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS�
  6. 太陽能逆變�
  由于其卓越的性能和可靠�,該芯片成為許多高功率應(yīng)用場景中的首選解決方��

替代型號

IRFP2907
  STP100N06
  FDP55N06L

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