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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SE03D3W11GZ

SE03D3W11GZ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 13:58:27 查看 閱讀�6

SE03D3W11GZ是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能開關(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�,能夠顯著提升電路的效率并降低功��
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,適合在中高壓環(huán)境下工作。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生�(chǎn)和安��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�3.2A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�110mΩ
  柵極電荷�18nC
  總電容:1450pF
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

SE03D3W11GZ具有以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓:高達(dá)650V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:典型值僅�110mΩ,有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體效率�
  3. 快速開�(guān)性能:優(yōu)化了柵極電荷參數(shù),可�(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度,從而降低開�(guān)損��
  4. 耐熱增強(qiáng)�(shè)�(jì):支持更高的�(jié)溫范圍(最�175℃),確保在惡劣�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  5. 小型化封裝:采用緊湊型設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間的同�(shí)保持良好的散熱性能�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保材�,滿足國(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

SE03D3W11GZ廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC�(zhuǎn)換和隔離變換�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為主開關(guān)元件�(shí)�(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)�
  4. 充電器:包括手機(jī)充電器、筆記本電腦適配器等便攜式設(shè)備的充電解決方案�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如PLC控制器中的功率模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng):如車載逆變�、LED照明�(qū)�(dòng)等�

替代型號(hào)

SE03D3W11GZT, SE03D3W11GZA

se03d3w11gz推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)