SE03D3W11GZ是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能開關(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�,能夠顯著提升電路的效率并降低功��
該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,適合在中高壓環(huán)境下工作。其封裝形式通常為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生�(chǎn)和安��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�3.2A
�(dǎo)通電阻(典型值)�110mΩ
柵極電荷�18nC
總電容:1450pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
SE03D3W11GZ具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓:高達(dá)650V,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻:典型值僅�110mΩ,有助于減少�(dǎo)通損�,提高整體效率�
3. 快速開�(guān)性能:優(yōu)化了柵極電荷參數(shù),可�(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度,從而降低開�(guān)損��
4. 耐熱增強(qiáng)�(shè)�(jì):支持更高的�(jié)溫范圍(最�175℃),確保在惡劣�(huán)境下的可靠運(yùn)��
5. 小型化封裝:采用緊湊型設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間的同�(shí)保持良好的散熱性能�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn):環(huán)保材�,滿足國(guó)際法�(guī)要求�
SE03D3W11GZ廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于AC-DC�(zhuǎn)換和隔離變換�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):控制小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器:作為主開關(guān)元件�(shí)�(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)�
4. 充電器:包括手機(jī)充電器、筆記本電腦適配器等便攜式設(shè)備的充電解決方案�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如PLC控制器中的功率模塊�
6. 汽車電子系統(tǒng):如車載逆變�、LED照明�(qū)�(dòng)等�
SE03D3W11GZT, SE03D3W11GZA