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SDP10G65C 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 13:30:41 查看 閱讀�22

SDP10G65C 是一款高性能的功� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用先進的制造工�,專為高頻、高效能開關(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,能夠顯著減少傳�(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,適用于需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)�
  SDP10G65C 的主要特點是其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,這使得它在高頻工作條件下表現(xiàn)出色,同時保持較低的熱耗散。此外,該器件還具備良好的雪崩能力和抗靜電能�,能夠在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運��

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�650V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�0.4Ω
  總柵極電�(Qg)�35nC
  輸入電容(Ciss)�1800pF
  輸出電容(Coss)�75pF
  反向恢復(fù)時間(trr)�80ns
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +150�

特�

SDP10G65C 具備以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:額定漏源電壓高� 650V,適合高壓應(yīng)用環(huán)境�
  2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on) 僅為 0.4Ω,可有效降低傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)性能:總柵極電荷低至 35nC,確保高頻應(yīng)用中的低開關(guān)損��
  4. �(wěn)定性強:具備良好的雪崩能量吸收能力,能夠在短路或異常情況下提供保護�
  5. 抗靜電能力強:符合人體模� (HBM) � 2kV 的抗靜電標準�
  6. 小型化封裝:通常采用 DPAK � TO-220 封裝形式,方便集成到緊湊型設(shè)計中�

�(yīng)�

SDP10G65C 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機�(qū)動:用于控制和驅(qū)動各種類型的電機�
  3. LED �(qū)動器:為高亮� LED 提供高效供電方案�
  4. 太陽能逆變器:在光伏系�(tǒng)中實�(xiàn)高效的直流到交流�(zhuǎn)��
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS):用于電池充放電控制和保��
  6. 工業(yè)自動化設(shè)備:如變頻器、伺服驅(qū)動器等�

替代型號

IRFP250N, STP10NK65Z

sdp10g65c推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
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