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SDN10N3P5S2B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 11:03:15 查看 閱讀�25

SDN10N3P5S2B是一種基于硅材料制造的高性能MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件通常用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)用場�。它具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提高效率。此�,SDN10N3P5S2B采用TO-263封裝形式,具有良好的散熱性能�
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)型N溝道MOSFET,通過柵極電壓控制漏極與源極之間的電流流動(dòng)。其主要特點(diǎn)是高效率、高可靠性和緊湊�(shè)�(jì),適合需要高效能功率管理的電��

參數(shù)

最大漏源電壓:35V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻:3.8mΩ
  總柵極電荷:27nC
  開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)�28ns,關(guān)斷傳播時(shí)�22ns
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�

特�

SDN10N3P5S2B具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損��
  2. 快速的開關(guān)速度,可支持高頻操作,適用于開關(guān)模式電源及脈寬調(diào)制應(yīng)��
  3. 高雪崩擊穿能量能�,增�(qiáng)了器件在過載條件下的可靠性�
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能�
  5. 小型化設(shè)�(jì),方便應(yīng)用于空間受限的環(huán)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無害�

�(yīng)�

SDN10N3P5S2B廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)元件�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)開關(guān)�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
  4. �(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開�(guān)�
  6. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  由于其高效的性能和緊湊的�(shè)�(jì),SDN10N3P5S2B特別適合于對體積和能耗要求較高的�(yīng)用場��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  STP10NK50Z

sdn10n3p5s2b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)