SDINDDH6-128G-XA 是一款高性能的工�(yè)�(jí) NAND 閃存芯片,主要用于數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�(yīng)�。該型號(hào)屬于三星電子(Samsung)推出的 V-NAND 系列,采用先�(jìn)� TLC(Triple-Level Cell)技�(shù),提供大容量和高可靠性的存儲(chǔ)解決方案�
此芯片廣泛應(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、固�(tài)硬盤(SSD�、監(jiān)控設(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)域。其�(shè)�(jì)注重耐用性和�(wěn)定�,適用于需要頻繁讀寫操作的工作�(huán)��
容量�128GB
接口類型:Toggle DDR 3.0
存儲(chǔ)單元類型:TLC
工作電壓�1.8V
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá) 533 MT/s
擦寫壽命:約 30形式:BGA 169 �
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保存�(shí)間:超過(guò) 10 �
SDINDDH6-128G-XA 具備以下主要特性:
1. 高密度存�(chǔ)能力,能夠在小型封裝中實(shí)�(xiàn)大容量存�(chǔ)�
2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口�(xié)�,確保高速數(shù)�(jù)傳輸性能�
3. 使用 TLC 技�(shù),在成本效益與性能之間取得平衡�
4. 工業(yè)�(jí)工作溫度范圍,適合極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
5. 提供較長(zhǎng)的數(shù)�(jù)保存�(shí)間和較高的擦寫壽�,滿足關(guān)鍵任�(wù)型應(yīng)用場(chǎng)景的需求�
6. �(nèi)� ECC(Error Correction Code)引�,有效降低數(shù)�(jù)�(cuò)誤率,提升整體可靠��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
該芯片的�(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
1. 嵌入式系�(tǒng)的內(nèi)部存�(chǔ)�(kuò)��
2. 固態(tài)硬盤(SSD)的�(shè)�(jì)與制��
3. 視頻�(jiān)控系�(tǒng)的連續(xù)錄像存儲(chǔ)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的程序和�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
5. �(yī)療設(shè)備及汽車電子�(lǐng)域的非易失性存�(chǔ)需��
6. 任何�(duì)存儲(chǔ)容量、速度和可靠性有較高要求的產(chǎn)品開�(fā)�
SDINDDH5-128G-XA
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