SDA03DT3是一種用于高壓功率轉(zhuǎn)換應用的MOSFET器件,采用TO-220封裝形式。該芯片主要針對開關(guān)電源、電機驅(qū)動器和逆變器等應用進行了優(yōu)化設計。它具有較低的導通電阻和較高的擊穿電�,能夠有效減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
其內(nèi)部結(jié)�(gòu)基于先進的DMOS制造工藝,可提供快速的開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。此�,SDA03DT3還具備較強的雪崩能力和抗靜電能力,從而增強了其在惡劣�(huán)境下的可靠��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�3.4A
導通電阻(典型值)�1.8Ω
柵極電荷�25nC
總電容(輸入電容):1200pF
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
SDA03DT3具備以下�(guān)鍵特性:
1. 高擊穿電壓(600V�,適用于多種高壓場景�
2. 低導通電阻(1.8Ω�,有助于降低傳導損耗�
3. 快速開�(guān)速度,減少開�(guān)損耗�
4. 強大的雪崩能�,確保在異常條件下穩(wěn)定運��
5. TO-220封裝設計,提供良好的散熱性能�
6. 工作溫度范圍寬廣�-55℃至+150℃),適應各種極端環(huán)��
7. 抗靜電能力強,進一步提升產(chǎn)品可靠��
SDA03DT3廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),如適配器和充電器�
2. 電機�(qū)動器,包括家用電器中的小型電機控��
3. 逆變�,用于太陽能�(fā)電系�(tǒng)和其他電力轉(zhuǎn)換設��
4. 熒光燈電子鎮(zhèn)流器�
5. 各類工業(yè)控制設備中需要高壓切換的場合�
由于其高耐壓和低功耗的特點,該器件非常適合對效率和可靠性要求較高的應用�(huán)��
IRF840, K1208