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SCTWA20N120 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 17:44:55 查看 閱讀�33

SCTWA20N120 是一款由 STMicroelectronics(意法半導體)生�(chǎn)� N 溝道增強型功� MOSFET。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合用于需要高效能的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中�
  � MOSFET 的電壓等級為 120V,能夠滿足多種工�(yè)和消費類電子�(shè)備的需求,例如開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器��

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�20A
  導通電阻(典型值)�3.5mΩ
  柵極電荷�46nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-247

特�

SCTWA20N120 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電�,可降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,使其適用于大功率應(yīng)用場��
  3. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損耗�
  4. 強大的雪崩能�,提升了器件在異常條件下的可靠��
  5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品使用需��

�(yīng)�

SCTWA20N120 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)��
  2. 各種類型� DC-DC �(zhuǎn)換器,包括降�、升壓及反激式拓撲結(jié)�(gòu)�
  3. 工業(yè)電機�(qū)動中的功率級元件�
  4. 電動車充電器和其他需要高效能功率管理的設(shè)備�
  5. 可再生能源系�(tǒng),如太陽能逆變器中的功率開�(guān)元件�

替代型號

STW85N120H5
  IXYS IXFN120N20T2
  Fairchild FCH26N120B
  Infineon IKW20N120E5

sctwa20n120推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sctwa20n120參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�570�(xiàn)�
  • 價格1 : �141.43000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)SiCFET(碳化硅�
  • 漏源電壓(Vdss�1200 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)20A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�20V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)239毫歐 @ 10A�20V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)3.5V @ 1mA (標準)
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)45 nC @ 20 V
  • Vgs(最大值)+25V�-10V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)650 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)175W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 200°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�HiP247? 長引�
  • 封裝/外殼TO-247-3