時(shí)間：2025/5/19 16:15:14
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SCTH35N65G2V-7AG 是一款由 SemiCraft 推出的高壓 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 芯片，專為高頻開關(guān)和高功率應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的溝槽柵極技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度，適用于要求高效率和高性能的場合。其額定電壓為 650V，持續(xù)漏極電流可達(dá) 35A，非常適合用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。
最大漏源電壓：650V
連續(xù)漏極電流：35A
導(dǎo)通電阻（典型值）：140mΩ
柵極電荷：85nC
輸入電容：2100pF
開關(guān)速度：快速
封裝類型：TO-247
SCTH35N65G2V-7AG 具備以下主要特性：
1. 高擊穿電壓：高達(dá) 650V 的漏源電壓確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定工作。
2. 低導(dǎo)通電阻：典型值為 140mΩ，有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
3. 快速開關(guān)性能：低柵極電荷和快速開關(guān)能力使其非常適合高頻應(yīng)用。
4. 高可靠性：通過嚴(yán)格的測試和質(zhì)量控制流程，確保在各種惡劣條件下的長期穩(wěn)定性。
5. 熱性能優(yōu)異：優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)和低熱阻提高了散熱效率。
6. EMI 抑制良好：內(nèi)置軟恢復(fù)功能減少了電磁干擾的影響。
這些特性使 SCTH35N65G2V-7AG 成為高功率密度和高效能應(yīng)用的理想選擇。
SCTH35N65G2V-7AG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）：包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 逆變器：用于太陽能發(fā)電系統(tǒng)、不間斷電源（UPS）和其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：支持高性能無刷直流電機(jī)（BLDC）和其他類型的電機(jī)控制。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備：如伺服控制器和變頻器。
5. 充電器：包括電動(dòng)汽車充電器和電池充電模塊。
由于其高電壓和大電流處理能力，SCTH35N65G2V-7AG 在許多需要高壓切換和低損耗的場景中表現(xiàn)出色。
SCTH35N65G2V, IRFP460, FDP16N65C
