SCT205K601A3B25-F 是一款高性能� SiC MOSFET(碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管�,廣泛應用于高頻和高功率場景。該器件具有較低的導通電�、快速開關速度以及出色的高溫穩(wěn)定�,適合用于新能源汽車、光伏逆變�、不間斷電源(UPS)以及其他工�(yè)領域中的高效電力轉換系統(tǒng)�
SiC 材料因其卓越的物理特�,使� SCT205K601A3B25-F 在高頻工作條件下依然保持較低的能量損�,同時支持更高的電壓等級和更小的封裝尺寸�
額定電壓�1200V
額定電流�25A
導通電阻:60mΩ
柵極電荷�95nC
輸入電容�1240pF
反向恢復時間�40ns
工作溫度范圍�-55� � 175�
1. 高頻性能:得益于 SiC 技�,該器件能夠以比傳統(tǒng) Si 器件更高的頻率運�,從而減少無源元件的體積和重��
2. 高效節(jié)能:低導通電阻和低開關損耗確保在各種負載條件下都能實�(xiàn)高效的能量轉��
3. 熱穩(wěn)定性:能夠在高� 175� 的結溫下�(wěn)定工�,非常適合高溫環(huán)境應用�
4. 快速開關:具備超短的反向恢復時間和低柵極電�,從而降低開關損耗并提升整體效率�
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的質量測試,適用于對長期穩(wěn)定性有較高要求的工�(yè)級應用�
1. 新能源汽車的電機控制器和車載充電�
2. 光伏逆變器中� DC/DC � DC/AC 轉換
3. 工業(yè)電源� UPS 系統(tǒng)
4. 高頻 DC/DC 變換�
5. 大功率充電設�
6. 風能和其他可再生能源系統(tǒng)的電力轉�
SCT2080K120A3B25-F, C2M0025120D, FFNH10T12_SiCF2