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SAYFP1G88BA0B00R00 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 17:33:34 查看 閱讀�23

SAYFP1G88BA0B00R00 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和直流-直流�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠性�
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適用于高頻�(yīng)用場合。其出色的電氣性能使其成為�(shè)�(jì)高效能電力電子設(shè)備的理想選擇�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  持續(xù)漏極電流Id�36A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  總柵極電荷Qg�48nC
  輸入電容Ciss�1300pF
  輸出電容Coss�190pF
  反向傳輸電容Crss�47pF
  功耗:220W(最大值)
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

SAYFP1G88BA0B00R00 具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)速度�(shè)�(jì),有助于降低開關(guān)損��
  3. 出色的熱�(wěn)定�,在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
  4. �(nèi)置防靜電保護(hù)功能,提高了器件的可靠性和耐用��
  5. 小巧封裝,適合高密度電路板布局�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
  這些特性使該器件特別適合用于需要高效率和高可靠性的�(yīng)用場景�

�(yīng)�

SAYFP1G88BA0B00R00 可應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC 適配器�
  2. 各類電機(jī)�(qū)�,如步�(jìn)電機(jī)、伺服電�(jī)等�
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理模��
  4. 電動汽車及混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng) (BMS)�
  5. 高效 DC-DC �(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)�
  6. 太陽能逆變器以及其他可再生能源相關(guān)�(shè)��
  憑借其�(yōu)異的性能表現(xiàn),此芯片非常適合對效率和可靠性有較高要求的應(yīng)用場��

替代型號

SAYFP1G88BA0B00R01, IRF840, FDP5500

sayfp1g88ba0b00r00推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

sayfp1g88ba0b00r00�(chǎn)�