SAYEY836MBE0F0A是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電源等領(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能等特�(diǎn)。其封裝形式為表面貼裝型,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和高效散��
型號(hào):SAYEY836MBE0F0A
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
柵極電荷(Qg)�75nC
總電�(Ciss)�3000pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
SAYEY836MBE0F0A具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在高電流應(yīng)用中降低功耗并提高效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻開(kāi)�(guān)電源和逆變器應(yīng)��
3. 良好的熱性能�(shè)�(jì),能夠有效減少熱量積�,從而提升系�(tǒng)的可靠��
4. 寬泛的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境條件下依然�(wěn)定運(yùn)��
5. 表面貼裝封裝,支持高效的自動(dòng)化生�(chǎn)流程�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì),滿(mǎn)足國(guó)際環(huán)保法�(guī)要求�
這款功率MOSFET適用于多種領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. 工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
3. 電動(dòng)工具、家用電器等�(chǎn)品的電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 太陽(yáng)能逆變器、電�(dòng)�(chē)充電器等新能源領(lǐng)域的電源�(zhuǎn)換模��
5. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
6. 各種需要大電流�(qū)�(dòng)的場(chǎng)景,如LED照明�(qū)�(dòng)電路�
SAYEY836MBE0G0A, IRF840, FDP5800