SAK-TC237LP-32F200N 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,采用先�(jìn)的封裝工藝以提升散熱性能和電氣特性。該型號(hào)屬于 SAK 公司推出� GaN HEMT 系列�(chǎn)�,適用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用場(chǎng)合,如開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)�(xiàn)充電�(shè)備以及新能源汽車(chē)中的功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
由于其低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度,這款晶體管能夠顯著減少能量損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�200A
�(dǎo)通電阻:32mΩ
柵極電荷�150nC
反向恢復(fù)�(shí)間:20ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TC237LP
該芯片具備以下關(guān)鍵特性:
1. 高擊穿電壓:支持高達(dá) 650V 的漏源電壓,適用于多種高壓應(yīng)用場(chǎng)��
2. 極低�(dǎo)通電阻:� 32mΩ 的導(dǎo)通電阻大幅降低了傳導(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)能力:具有極短的反向恢復(fù)�(shí)間和低柵極電�,可�(shí)�(xiàn)高頻操作�
4. 高熱性能:優(yōu)化的 TC237LP 封裝增強(qiáng)了散熱效�,確保在高功率運(yùn)行時(shí)保持�(wěn)��
5. 增強(qiáng)可靠性:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試驗(yàn)�,適合工�(yè)�(jí)及汽�(chē)�(jí)�(yīng)用需求�
6. 減少外圍元件:得益于其高性能,設(shè)�(jì)中可以減少濾波器和其他輔助元件的�(shù)�,從而降低成本和�(fù)雜性�
SAK-TC237LP-32F200N 廣泛�(yīng)用于需要高效能和高頻率的電力電子領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. �(shù)�(jù)中心供電單元
3. 電動(dòng)汽車(chē)�(chē)載充電器和逆變�
4. 太陽(yáng)能微逆變�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)�
6. �(wú)�(xiàn)充電�(fā)射端和接收端模塊
7. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
其卓越的性能使其成為追求更高效率和更小尺寸解決方案的理想選擇�
SAK-TC237LP-32F150N
SAK-TC237LP-45F200N
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