SAK-TC233L-32F200NAC 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,屬于增�(qiáng)型常�(guān)(E-mode)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。該型號(hào)以其高開�(guān)頻率、低�(dǎo)通電阻和高效率著�,適用于高頻電源�(zhuǎn)換、DC-DC�(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備以及其他需要高性能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��
此芯片采用先�(jìn)的封裝設(shè)�(jì),能夠在高頻工作條件下保持卓越的性能表現(xiàn)。其出色的熱特性和電氣特性使其成為傳�(tǒng)硅基MOSFET的理想替代品�
型號(hào):SAK-TC233L-32F200NAC
類型:GaN FET
Vds(漏源電壓)�650V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�160mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):200mA
Qg(柵極電荷)�4nC
fsw(最大開�(guān)頻率):5MHz
封裝形式:DFN8
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
SAK-TC233L-32F200NAC 的主要特性包括:
1. 高開�(guān)頻率支持,能夠有效減少磁性元件體�,提升系�(tǒng)功率密度�
2. 極低的導(dǎo)通電�,降低傳�(dǎo)損耗,從而提高整體效��
3. 小型化封裝設(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
4. �(nèi)置靜電防�(hù)功能,增�(qiáng)了器件在�(shí)際應(yīng)用中的可靠��
5. 良好的熱�(wěn)定性和一致性,確保�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行時(shí)性能�(wěn)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
SAK-TC233L-32F200NA
SAK-TC233L-32F300NAC
STGAP100N65C3
IXYS IXFN100N6W
GaN Systems GS66508T