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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SAFFB2G65AB0F0AR1X

SAFFB2G65AB0F0AR1X 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 10:05:41 查看 閱讀�27

SAFFB2G65AB0F0AR1X 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制程技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和性能�
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適合在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中使用。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)封裝,便于設(shè)�(jì)和生�(chǎn)中的�(yīng)��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流�8A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.075Ω
  柵極電荷�36nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:95ns
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-247

特�

SAFFB2G65AB0F0AR1X 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高耐壓能力,這使得它在高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  該器件的�(kāi)�(guān)速度�,可有效減少�(kāi)�(guān)損�,適用于高頻 PWM 控制器和 DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)��
  此外,它的高可靠性設(shè)�(jì)確保了在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)�,例如高溫或高濕度條件下仍能保持良好的電氣性能�
  � MOSFET 還具備較低的熱阻,有助于改善散熱性能,從而提升整體系�(tǒng)的可靠性�

�(yīng)�

SAFFB2G65AB0F0AR1X 主要用于需要高效率和高可靠性的電力電子�(shè)備中�
  典型�(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
  - �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  - 逆變�
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
  - 工業(yè)自動(dòng)化控�
  - 太陽(yáng)能逆變�
  - 充電器模�
  由于其高耐壓和大電流能力,該器件非常適合用作主開(kāi)�(guān)元件或同步整流器,在這些�(lǐng)域中提供卓越的性能表現(xiàn)�

替代型號(hào)

SAFFB2G65AB0F0BR1X
  SAFFB2G65BB0F0AR1X
  IRFP460

saffb2g65ab0f0ar1x推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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