SAFFB2G65AB0F0AR1X 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制程技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和性能�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適合在高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中使用。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)封裝,便于設(shè)�(jì)和生�(chǎn)中的�(yīng)��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.075Ω
柵極電荷�36nC
反向恢復(fù)�(shí)間:95ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-247
SAFFB2G65AB0F0AR1X 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻和高耐壓能力,這使得它在高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
該器件的�(kāi)�(guān)速度�,可有效減少�(kāi)�(guān)損�,適用于高頻 PWM 控制器和 DC-DC �(zhuǎn)換器等場(chǎng)��
此外,它的高可靠性設(shè)�(jì)確保了在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)�,例如高溫或高濕度條件下仍能保持良好的電氣性能�
� MOSFET 還具備較低的熱阻,有助于改善散熱性能,從而提升整體系�(tǒng)的可靠性�
SAFFB2G65AB0F0AR1X 主要用于需要高效率和高可靠性的電力電子�(shè)備中�
典型�(yīng)用場(chǎng)景包括但不限于:
- �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
- 逆變�
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 工業(yè)自動(dòng)化控�
- 太陽(yáng)能逆變�
- 充電器模�
由于其高耐壓和大電流能力,該器件非常適合用作主開(kāi)�(guān)元件或同步整流器,在這些�(lǐng)域中提供卓越的性能表現(xiàn)�
SAFFB2G65AB0F0BR1X
SAFFB2G65BB0F0AR1X
IRFP460