SAFFB2G60AA0F0A 是一款由 ON Semiconductor 提供的高� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(yīng)�。該器件采用 TO-247 封裝,適合高功率密度�(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和出色的熱性能�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:150mΩ
柵極電荷�85nC
功耗:135W
封裝:TO-247
SAFFB2G60AA0F0A 具有以下主要特性:
1. 高擊穿電壓:能夠承受高達(dá) 650V 的漏源電�,適用于高電壓環(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 150mΩ,降低了傳導(dǎo)損�,提高了效率�
3. 快速開�(guān)能力:較小的柵極電荷確保了更快的開關(guān)速度,減少開�(guān)損��
4. 熱穩(wěn)定性:�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和材料選擇提供了良好的散熱性能,延長了器件壽命�
5. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量控制流�,確保在惡劣�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于多種工業(yè)和消�(fèi)類電子領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
3. 太陽能逆變�
4. 電池充電�
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
其高壓和高效的特�(diǎn)使其成為許多高功率應(yīng)用的理想選擇�
SAFFB2G60AC0F0A, FGH60N65SMD, IRFB4030TRPBF