SAFFB2G01AA0F0A 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動和負載切換等場�。該芯片采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高效率的特點,能夠有效降低能量損耗并提升系統(tǒng)性能�
其封裝形式為 LFPAK88,具有良好的散熱性能,適用于對可靠性要求較高的工業(yè)及汽車電子領��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�137A
導通電阻:0.45mΩ
柵極電荷�119nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55� � 175�
SAFFB2G01AA0F0A 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠在大電流應用中顯著降低功��
2. 高雪崩能�,增強了器件在異常情況下的魯棒��
3. 緊湊� LFPAK88 封裝,支持高效的表面貼裝技� (SMT) 并提供優(yōu)異的熱性能�
4. 寬泛的工作溫度范� (-55°C � +175°C),適應惡劣環(huán)境的應用需��
5. 符合 AEC-Q101 標準,確保在汽車級應用中的可靠��
6. 出色的動�(tài)性能,適合高頻開關應��
SAFFB2G01AA0F0A 可用于以下應用:
1. 開關模式電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電機驅動器�
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率轉換�
5. 各種需要高效功率管理的場合,如服務器電源、通信電源��
SAFFB2G01AA0F0B, SAFFB2G01AA0F0C