S70GL02GS11FHI010 是一款由三星(Samsung)推出的 NAND 閃存芯片,主要用于數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�(yīng)用。該芯片采用 3D TLC(Triple-Level Cell)技�(shù),具備高密度和高性能的特�,適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備以及嵌入式系統(tǒng)中的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)需��
這款芯片具有出色的可靠性和耐用性,能夠滿足�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行和高頻次讀寫的需�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了功耗與性能之間的平�,適合需要大容量存儲(chǔ)但對(duì)能耗有�(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)��
容量�256GB
接口:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�169
�(shù)�(jù)傳輸速率�400MT/s
擦寫次數(shù)�3000 次(典型值)
工作溫度范圍�-25� � +85�
存儲(chǔ)溫度范圍�-40� � +125�
S70GL02GS11FHI010 芯片采用了先�(jìn)� 3D NAND 技�(shù),相比傳�(tǒng)平面 NAND 提供了更高的存儲(chǔ)密度和更低的單位成本。以下是其主要特性:
- 高容量:?jiǎn)晤w芯片即可提供 256GB 的存�(chǔ)空間�
- 快速接口:支持 Toggle DDR 2.0 接口�(xié)�,數(shù)�(jù)傳輸速率高達(dá) 400MT/s�
- 低功耗設(shè)�(jì):通過�(yōu)化電路架�(gòu),顯著降低芯片在讀寫操作中的功��
- 可靠性高:具備強(qiáng)大的 ECC(Error Correction Code)糾�(cuò)功能,確保數(shù)�(jù)完整性和可靠��
- 多樣化應(yīng)用:適用� SSD、UFS、eMMC 等多種存�(chǔ)解決方案�
- 工業(yè)�(jí)溫度范圍:能夠在極端溫度條件下穩(wěn)定工�,適合戶外或工業(yè)�(huán)境使用�
S70GL02GS11FHI010 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
- 固態(tài)硬盤(SSD):作為核心存儲(chǔ)介質(zhì),提供高速和大容量的�(shù)�(jù)存儲(chǔ)能力�
- 嵌入式系�(tǒng):為物聯(lián)�(wǎng)�(shè)�、工�(yè)控制器等提供可靠的存�(chǔ)支持�
- 移動(dòng)�(shè)備:用于智能手機(jī)和平板電腦中� UFS � eMMC 模塊�
- �(shù)�(jù)記錄�(shè)備:如行車記錄儀、監(jiān)�?cái)z像頭等需要長(zhǎng)期存�(chǔ)�(shù)�(jù)的設(shè)備�
- �(yī)療設(shè)備:支持�(yī)療影像存�(chǔ)和其他關(guān)鍵數(shù)�(jù)的保��
KLD31GQGAANP, H27UCG8T2CTR, MX30UF1G48AC