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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > S34MS02G200BHI000

S34MS02G200BHI000 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 11:31:09 查看 閱讀�13

S34MS02G200BHI000 是一款由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)� NAND Flash 存儲(chǔ)芯片,采� 2Gb�256MB)容量設(shè)�(jì),基� MLC(多層單元)技�(shù)。該芯片適用于需要高密度存儲(chǔ)和快速數(shù)�(jù)訪問(wèn)的消�(fèi)類電子設(shè)備,例如固態(tài)硬盤、U 盤、記憶卡��
  這款 NAND Flash 芯片具有較低的功耗和較高的可靠性,支持 ONFI(Open NAND Flash Interface)標(biāo)�(zhǔn)�(xié)�,能�?qū)崿F(xiàn)高效的數(shù)�(jù)傳輸和管理�

參數(shù)

容量�2Gb (256MB)
  存儲(chǔ)類型:MLC NAND Flash
  接口�(biāo)�(zhǔn):ONFI 2.3
  工作電壓�1.8V � 3.3V
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最� 50 MB/s
  封裝形式:TSOP-48
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  擦寫壽命:約 3,000 �

特�

S34MS02G200BHI000 的主要特性包括大容量存儲(chǔ)能力、低功耗設(shè)�(jì)以及高可靠性。其基于 MLC 技�(shù),相� SLC NAND 提供了更高的存儲(chǔ)密度,從而降低了單位成本,適合于�(duì)�(jià)格敏感的�(yīng)用場(chǎng)景�
  此外,該芯片支持 ONFI 2.3 �(biāo)�(zhǔn),確保與主機(jī)�(shè)備之間的兼容性和高效的命令交�。內(nèi)� ECC(錯(cuò)誤校正碼)引擎�(jìn)一步提升了�(shù)�(jù)完整�,延�(zhǎng)了產(chǎn)品的使用壽命�
  該芯片還具備塊管理和壞塊處理功能,有助于�(yōu)化存�(chǔ)性能和延�(zhǎng) NAND Flash 的壽�。其 TSOP-48 封裝形式也使其易于集成到各種嵌入式系�(tǒng)��

�(yīng)�

S34MS02G200BHI000 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品領(lǐng)�,包括但不限� USB 閃存�、SD �、microSD 卡以及其他便攜式存儲(chǔ)�(shè)備�
  此外,它也可用于工業(yè)�(jí)�(yīng)�,如�(shù)�(jù)記錄儀、嵌入式控制器和�(wǎng)�(luò)�(shè)備中的存�(chǔ)�(kuò)展模�。由于其可靠的性能和廣泛的溫度適應(yīng)性,這款芯片同樣適用于一些需要在極端�(huán)境下�(yùn)行的特殊�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

S34MS01G200BHI000
  S34MS04G200BHI000
  S34MS08G200BHI000

s34ms02g200bhi000推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

s34ms02g200bhi000參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�Digi-Key 停止提供
  • 系列MS-2
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)Digi-Key 停止提供
  • 存儲(chǔ)器類�非易�
  • 存儲(chǔ)器格�閃存
  • 技�(shù)閃存 - NAND
  • 存儲(chǔ)容量2Gb
  • 存儲(chǔ)器組�256M x 8
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�-
  • 寫周期時(shí)� - �,頁(yè)45ns
  • 訪問(wèn)�(shí)�45 ns
  • 電壓 - 供電1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼63-VFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�63-BGA�11x9�