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S27KS0641DPBHI020 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 22:00:40 查看 閱讀�24

S27KS0641DPBHI020 是一款由三星推出的高性能 NAND 閃存芯片,主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、嵌入式系統(tǒng)以及需要大容量存儲(chǔ)的場(chǎng)景。該芯片采用先�(jìn)的制程工�,提供高密度�(shù)�(jù)存儲(chǔ)和快速讀寫能�,適用于各類需要穩(wěn)定性和速度�?zhèn)涞脑O(shè)備�

參數(shù)

容量�64Gb
接口類型:Toggle DDR 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:WSON (Wafer-Level Package)
頁大?�?6KB
塊大小:512KB
通道�(shù)�
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá)400MT/s
工作溫度范圍�-40°C � +85°C

特�

S27KS0641DPBHI020 是一種基� NAND 技�(shù)的閃存芯�,具有高密度存儲(chǔ)能力,適合大容量需求的�(yīng)用環(huán)境�
它支� Toggle DDR 2.0 接口�(xié)�,提供高�(dá) 400MT/s 的數(shù)�(jù)傳輸速率,從而顯著提升了�(shù)�(jù)吞吐��
該芯片使用了三星先�(jìn)的制程技�(shù),能夠以較低功耗實(shí)�(xiàn)高效能運(yùn)��
� WSON 封裝�(shè)�(jì)減少了體積,非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��
此外,這款芯片具備較高的耐用性,可以承受多次擦寫循環(huán),并且在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

�(yīng)�

S27KS0641DPBHI020 廣泛�(yīng)用于需要高密度存儲(chǔ)和快速數(shù)�(jù)訪問的設(shè)備中,例如固�(tài)硬盤(SSD�、USB 閃存�、存�(chǔ)�、嵌入式系統(tǒng)以及消費(fèi)類電子產(chǎn)��
它可以用于移�(dòng)�(shè)備中的內(nèi)部存�(chǔ)解決方案,如智能手機(jī)和平板電��
同時(shí),它也適合作為工�(yè)�(jí)存儲(chǔ)�(shè)備的核心組件,在極端�(huán)境下提供可靠的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)功能�
此外,該芯片還可用于�(wǎng)�(luò)�(shè)�、安防監(jiān)控系�(tǒng)以及其他需要長(zhǎng)期數(shù)�(jù)保存的領(lǐng)��

替代型號(hào)

K9K4G08U1M, MX30UF1G48AC

s27ks0641dpbhi020推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

s27ks0641dpbhi020參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�11�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �36.57000托盤
  • 系列HyperRAM? KS
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 存儲(chǔ)器類�易失
  • 存儲(chǔ)器格�PSRAM
  • 技�(shù)PSRAM(偽 SRAM�
  • 存儲(chǔ)容量64Mbit
  • 存儲(chǔ)器組�8M x 8
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�166 MHz
  • 寫周期時(shí)� - �,頁-
  • 訪問�(shí)�40 ns
  • 電壓 - 供電1.7V ~ 1.95V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼24-VBGA
  • 供應(yīng)商器件封�24-FBGA�6x8�