S-LMBT5551LT1G 是一款雙極型晶體� (Bipolar Junction Transistor, BJT),由安森美(ON Semiconductor)制造。該器件具有低電容和高切換速度的特�(diǎn),適合用于高頻開�(guān)電路和信�(hào)放大�(yīng)�。它采用� SOT-23 小型封裝形式,有助于節(jié)省印刷電路板空間,并且支持表面貼裝技�(shù) (SMT),便于自�(dòng)化生�(chǎn)�
集電�-�(fā)射極擊穿電壓�30V
集電極電流:-200mA
直流電流增益 (hFE)�100(最小值)
過渡頻率 (fT)�750MHz
功耗:340mW
工作溫度范圍�-55� � +150�
S-LMBT5551LT1G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高速切換性能,適用于高頻�(yīng)��
2. 超低電容�(shè)�(jì),減少信�(hào)失真�
3. 采用 SOT-23 封裝,體積小�,易于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
4. 支持表面貼裝技�(shù) (SMT),提高生�(chǎn)效率�
5. 廣泛的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下仍能�(wěn)定運(yùn)行�
6. 提供較高的直流電流增� (hFE),實(shí)�(xiàn)更有效的信號(hào)放大�
S-LMBT5551LT1G 廣泛�(yīng)用于需要高速切換和信號(hào)放大的場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 高頻開關(guān)電路�
2. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的信�(hào)�(diào)��
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的音頻放大��
4. 工業(yè)控制系統(tǒng)的信�(hào)處理模塊�
5. 自動(dòng)化設(shè)備中的傳感器接口電路�
6. �(wú)線通信模塊的射頻前端電��
MMBT5551LT1G