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S-LDTD123YLT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/19 16:10:41 查看 閱讀�19

S-LDTD123YLT1G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于需要高效能和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場�。該芯片采用先進的制造工藝,能夠提供卓越的開�(guān)性能和穩(wěn)定�。其�(shè)計適合在汽車電子、工�(yè)電源、消費類電子等領(lǐng)域中使用�

參數(shù)

型號:S-LDTD123YLT1G
  類型:N-Channel MOSFET
  漏源電壓(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�140A
  柵極電荷(Qg)�75nC
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  封裝形式:TO-247-3
  工作溫度范圍�-55� to 175�
  最大功耗:290W

特�

S-LDTD123YLT1G 的主要特性包括高電流處理能力、低�(dǎo)通電阻以及快速開�(guān)速度。這些特點使其非常適合用于大功率應(yīng)用場�,如DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器、逆變器等。此�,它還具有較低的熱阻,確保在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
  該芯片采用的材料和技�(shù)能夠有效降低能�,同時具備出色的可靠性和耐用�。通過�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)計,進一步提升了效率并減少了開關(guān)損��
  由于其堅固的�(shè)計和廣泛的溫度適�(yīng)范圍,這款MOSFET能夠在極端條件下正常運行,為系統(tǒng)提供了更高的安全保障�

�(yīng)�

S-LDTD123YLT1G 廣泛�(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中,例如電動汽車中的牽引逆變�、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)系統(tǒng)以及工業(yè)自動化設(shè)備中的大功率電源模塊�
  此外,它還可用于音頻放大�、焊接設(shè)備以及其他需要大電流輸出的應(yīng)用領(lǐng)�。憑借其�(yōu)異的性能表現(xiàn),該芯片成為許多工程師在�(shè)計高效率、高可靠性電路時的首選方案�

替代型號

S-LDTD123HLT1G, IRFB4110TRPBF, FDP158N06EL

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