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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > S-81250HG-RD-T1

S-81250HG-RD-T1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 8:51:43 查看 閱讀�26

S-81250HG-RD-T1 是一款高性能的功率晶體管,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該晶體管采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造,具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度等特�(diǎn),能夠顯著提高電路效率并降低功��
  此型�(hào)為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,封裝形式為TO-220,適合在較高電流和電壓條件下工作�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):650V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大漏極電流(Id):16A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.28Ω
  總功耗(Ptot):150W
  �(jié)溫范圍(Tj):-55� to +175�
  封裝:TO-220

特�

S-81250HG-RD-T1 的主要特�(diǎn)是其高耐壓能力與低�(dǎo)通電阻的�(jié)�,這使其非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景。此�,該器件還具備以下特�(diǎn)�
  1. 快速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損��
  2. 低輸入電�,可以有效提升電路響�(yīng)速度�
  3. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件在惡劣�(huán)境下的可靠��
  4. �(wěn)定的電氣性能,即使在高溫�(huán)境下也能保持良好的工作狀�(tài)�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  這些特性使 S-81250HG-RD-T1 成為工業(yè)控制、消�(fèi)電子及汽車電子領(lǐng)域的理想選擇�

�(yīng)�

S-81250HG-RD-T1 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�,如適配器、充電器��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和穩(wěn)壓輸��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),尤其是中小型直流或步�(jìn)電機(jī)�
  4. 逆變器電�,例如太陽能逆變��
  5. 電磁閥驅(qū)�(dòng)及負(fù)載切換控��
  由于其高可靠性和寬廣的工作范圍,這款MOSFET在各種復(fù)雜和高要求的電子系統(tǒng)中都能表�(xiàn)出色�

替代型號(hào)

S-81250HG-RD-T2, IRFZ44N, FQP17N65

s-81250hg-rd-t1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)