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RUR020N02TL 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 14:28:45 查看 閱讀�10

RUR020N02TL 是一� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采� UFQFPN 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適合用于各種高效能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。其耐壓� 20V,適用于低壓�(qū)動場景,如負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及電池保�(hù)電路�。這款 MOSFET 以緊湊的�(shè)計和卓越的電氣特性而著�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  該器件通過�(yōu)化的芯片�(shè)計實�(xiàn)了極低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,從而減少傳�(dǎo)損�,同時具備快速開�(guān)能力以降低開�(guān)損耗。RUR020N02TL 的典型應(yīng)用場景包括消費電子設(shè)�、通信�(shè)備以及工�(yè)自動化控制等�(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:20V
  連續(xù)漏極電流�16A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�38nC(典型值)
  輸入電容�1750pF(典型值)
  總功耗:2.4W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:UFQFPN

特�

RUR020N02TL 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于提高系統(tǒng)效率并減少發(fā)��
  2. 高電流承載能力,可支持高�(dá) 16A 的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開�(guān)特性,使得開關(guān)損耗降至最�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
  4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在廣泛的溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  5. 緊湊� UFQFPN 封裝,節(jié)� PCB 空間并便于布局�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要��

�(yīng)�

RUR020N02TL 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
  2. �(fù)載開�(guān),用于動�(tài)管理電源分配�
  3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級元件�
  4. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和切換功能�
  5. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � LED �(qū)動器�
  6. 各類便攜式電子產(chǎn)品中的功率管理單元�

替代型號

RT9202N02TLD, RUR020N02SLL

rur020n02tl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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rur020n02tl資料 更多>

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rur020n02tl參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫歐 @ 2A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs2nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds180pF @ 10V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片),SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TSMT3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱RUR020N02TL-NDRUR020N02TLTR