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RUC002N05T116 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 14:27:46 查看 閱讀�8

RUC002N05T116 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的增�(qiáng)型功率晶體管,采用常�(guān)型設(shè)�(jì)。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合高頻、高效能的應(yīng)用場�。其高電子遷移率晶體� (HEMT) �(jié)�(gòu)使得它在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。RUC002N05T116 的額定耐壓� 500V,并且支持高�(dá) 2A 的連續(xù)漏極電流。這種 GaN 器件能夠顯著降低系統(tǒng)能�,同�(shí)縮小整體解決方案的尺��
  該產(chǎn)品廣泛用于電源管�、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、快充適配器等需要高效率和小型化的領(lǐng)��

參數(shù)

額定電壓�500V
  連續(xù)漏極電流�2A
  �(dǎo)通電阻:2.5Ω
  柵極電荷�35nC
  最大工作結(jié)溫:175°C
  封裝類型:TO-252

特�

RUC002N05T116 具備以下主要特性:
  1. 高耐壓能力�500V�,適用于高壓�(huán)境中的開�(guān)操作�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5Ω�,可有效減少�(dǎo)通損��
  3. 快速開�(guān)速度,得益于低柵極電荷(35nC)設(shè)�(jì),從而實(shí)�(xiàn)更高的工作頻率和更低的開�(guān)損��
  4. 支持高達(dá) 175°C 的工作結(jié)�,確保器件在惡劣�(huán)境下仍能可靠�(yùn)��
  5. 基于先�(jìn)� GaN 技�(shù),與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,具備更高的效率和更小的體積�
  6. 增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),確保器件在正常工作�(shí)保持�(guān)閉狀�(tài),只有當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)才開啟�

�(yīng)�

RUC002N05T116 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),例� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 高效電機(jī)�(qū)�(dòng)器和逆變�,用于工�(yè)自動(dòng)化及消費(fèi)類電子產(chǎn)��
  3. USB-PD 快速充電器和其他便攜式�(shè)備電源適配器�
  4. 太陽能微型逆變器以及儲(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  5. LED �(qū)�(dòng)器和高頻諧振電路�
  這款 GaN 晶體管憑借其卓越的性能,特別適合對能效和尺寸有�(yán)格要求的�(yīng)用場��

替代型號(hào)

RUC003N06L116, RUG002N05T116

ruc002n05t116推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 詢價(jià)

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ruc002n05t116參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�717,976�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �2.54000剪切帶(CT�3,000 : �0.44159卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�50 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)200mA(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.2V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)2.2 歐姆 @ 200mA�4.5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1V @ 1mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)25 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)200mW(Ta�
  • 工作溫度150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SST3
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3