RUC002N05T116 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的增�(qiáng)型功率晶體管,采用常�(guān)型設(shè)�(jì)。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合高頻、高效能的應(yīng)用場�。其高電子遷移率晶體� (HEMT) �(jié)�(gòu)使得它在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。RUC002N05T116 的額定耐壓� 500V,并且支持高�(dá) 2A 的連續(xù)漏極電流。這種 GaN 器件能夠顯著降低系統(tǒng)能�,同�(shí)縮小整體解決方案的尺��
該產(chǎn)品廣泛用于電源管�、DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、快充適配器等需要高效率和小型化的領(lǐng)��
額定電壓�500V
連續(xù)漏極電流�2A
�(dǎo)通電阻:2.5Ω
柵極電荷�35nC
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝類型:TO-252
RUC002N05T116 具備以下主要特性:
1. 高耐壓能力�500V�,適用于高壓�(huán)境中的開�(guān)操作�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(2.5Ω�,可有效減少�(dǎo)通損��
3. 快速開�(guān)速度,得益于低柵極電荷(35nC)設(shè)�(jì),從而實(shí)�(xiàn)更高的工作頻率和更低的開�(guān)損��
4. 支持高達(dá) 175°C 的工作結(jié)�,確保器件在惡劣�(huán)境下仍能可靠�(yùn)��
5. 基于先�(jìn)� GaN 技�(shù),與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,具備更高的效率和更小的體積�
6. 增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),確保器件在正常工作�(shí)保持�(guān)閉狀�(tài),只有當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)才開啟�
RUC002N05T116 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),例� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 高效電機(jī)�(qū)�(dòng)器和逆變�,用于工�(yè)自動(dòng)化及消費(fèi)類電子產(chǎn)��
3. USB-PD 快速充電器和其他便攜式�(shè)備電源適配器�
4. 太陽能微型逆變器以及儲(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
5. LED �(qū)�(dòng)器和高頻諧振電路�
這款 GaN 晶體管憑借其卓越的性能,特別適合對能效和尺寸有�(yán)格要求的�(yīng)用場��
RUC003N06L116, RUG002N05T116