RTQ2130MBGQW-QT是一款高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,非常適合用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開關以及其他需要高效能功率切換的應用場��
該芯片的主要特點是其卓越的熱性能和可靠�,適用于要求嚴格的工�(yè)和汽車環(huán)�。此�,RTQ2130MBGQW-QT采用小型化的封裝設計,能夠有效節(jié)省PCB空間�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�3.6A
導通電阻(典型值)�50mΩ
柵極電荷�12nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至150�
封裝形式:BGQW
RTQ2130MBGQW-QT具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,適合高頻應��
3. 高度可靠的結(jié)�(gòu)設計,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
4. 小尺寸封�,便于在緊湊型設計中使用�
5. 寬泛的工作溫度范圍,支持從低溫到高溫的各種應用場��
該MOSFET廣泛應用于多種電子設備中,包括但不限于以下領域:
1. 移動設備中的負載開關和電池保護電路�
2. 工業(yè)自動化設備中的電機驅(qū)動和信號切換�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和保護功能�
4. 各類便攜式電子產(chǎn)品中的高效DC-DC�(zhuǎn)換器�
5. 照明系統(tǒng)的調(diào)光控制和電源�(diào)節(jié)�
RTQ2131MBGQW-QT, RTQ2132MBGQW-QT, FDMQ8205