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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > RTQ2130MBGQW-QT

RTQ2130MBGQW-QT 發(fā)布時間 時間�2025/4/25 14:59:04 查看 閱讀�34

RTQ2130MBGQW-QT是一款高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用了先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,非常適合用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開關以及其他需要高效能功率切換的應用場��
  該芯片的主要特點是其卓越的熱性能和可靠�,適用于要求嚴格的工�(yè)和汽車環(huán)�。此�,RTQ2130MBGQW-QT采用小型化的封裝設計,能夠有效節(jié)省PCB空間�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�3.6A
  導通電阻(典型值)�50mΩ
  柵極電荷�12nC
  開關速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至150�
  封裝形式:BGQW

特�

RTQ2130MBGQW-QT具有以下主要特性:
  1. 極低的導通電阻,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關速度,適合高頻應��
  3. 高度可靠的結(jié)�(gòu)設計,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
  4. 小尺寸封�,便于在緊湊型設計中使用�
  5. 寬泛的工作溫度范圍,支持從低溫到高溫的各種應用場��

應用

該MOSFET廣泛應用于多種電子設備中,包括但不限于以下領域:
  1. 移動設備中的負載開關和電池保護電路�
  2. 工業(yè)自動化設備中的電機驅(qū)動和信號切換�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和保護功能�
  4. 各類便攜式電子產(chǎn)品中的高效DC-DC�(zhuǎn)換器�
  5. 照明系統(tǒng)的調(diào)光控制和電源�(diào)節(jié)�

替代型號

RTQ2131MBGQW-QT, RTQ2132MBGQW-QT, FDMQ8205

rtq2130mbgqw-qt推薦供應� 更多>

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