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RTQ020N03TR 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 21:57:07 查看 閱讀�11

RTQ020N03TR 是一� N 灃道通體 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理�(yīng)�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)��
  RTQ020N03TR 的封裝形式為 SOT23 封裝,這種小型化封裝使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì)。此�,該器件還具備良好的熱性能和電氣性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和可靠性的需求�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�2A
  �(dǎo)通電阻:160mΩ
  柵極閾值電壓:1.5V~3V
  功耗:470mW
  工作溫度范圍�-55℃~150�

特�

RTQ020N03TR 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提高效率�
  2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操作,降低電磁干擾�
  3. 高擊穿電壓(V(BR)DSS�,確保在高壓�(huán)境下�(yùn)行時(shí)的安全性和�(wěn)定性�
  4. 小型化的 SOT23 封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,適合便攜式和緊湊型�(yīng)用�
  5. 寬泛的工作溫度范�,可在惡劣環(huán)境中保持�(wěn)定性能�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

RTQ020N03TR 廣泛�(yīng)用于各種需要高效能和小型化的場(chǎng)景中,具體包括:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  3. 便攜式電子設(shè)備(如手�(jī)、平板電腦)中的電源管理�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電�,例如小型直流電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  5. 各類保護(hù)功能電路,如過流保護(hù)和短路保�(hù)�
  6. 信號(hào)切換和邏輯電平轉(zhuǎn)換電路�

替代型號(hào)

RTQ020N03L, STT3LK10N3LH, AO3400A

rtq020n03tr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

rtq020n03tr資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

rtq020n03tr參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊MOSFETs
  • 特色�(chǎn)�ECOMOS? Series MOSFETs
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C125 毫歐 @ 2A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs3.3nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds135pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.25W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-23-6 �(xì)�,TSOT-23-6
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TSMT6
  • 包裝帶卷 (TR)