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RSR020N06TL 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 23:11:15 查看 閱讀：5

RSR020N06TL 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于各種電源管理應(yīng)用，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。其額定電壓為 60V，持續(xù)電流能力為 2.0A，能夠在高頻開(kāi)關(guān)條件下提供高效性能。
　　RSR020N06TL 的設(shè)計(jì)注重降低功耗并提高系統(tǒng)效率，特別適合于對(duì)空間和熱管理有嚴(yán)格要求的緊湊型應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　最大連續(xù)漏極電流：2.0A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：130mΩ
　　柵極電荷（典型值）：4nC
　　總電容（輸入電容）：180pF
　　最大功耗：790mW
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 確保了高效的功率傳輸，減少了發(fā)熱問(wèn)題。
　　2. 快速的開(kāi)關(guān)速度有助于降低開(kāi)關(guān)損耗，從而提升整體效率。
　　3. 高雪崩擊穿能量增強(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒性。
　　4. 具備較低的柵極電荷，便于驅(qū)動(dòng)且減少驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜度。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子設(shè)備的設(shè)計(jì)需求。
　　6. 小巧的 TO-252 封裝形式節(jié)省 PCB 空間，適合便攜式和緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)。
　　2. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和保護(hù)電路。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路中的功率級(jí)元件。
　　4. LED 驅(qū)動(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)功能。
　　5. 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源管理單元。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)隔離和功率切換。

替代型號(hào)

IRLML6402
　　AO3400
　　FDP067N06S

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rsr020n06tl參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C2A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C170 毫歐 @ 2A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 1mA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs2.7nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds180pF @ 10V
  • 功率 - 最大1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TSMT6
  • 包裝帶卷 (TR)