RS3236-1.5YUTDN4 時間：2025/5/28 22:08:48 閱讀：11

RS3236-1.5YUTDN4 是一款基于氮化鎵（GaN）技術的高效功率晶體管，采用DFN封裝形式。該器件適用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及其他需要高效率和快速開關的應用場景。其設計旨在提供卓越的功率密度和熱性能，同時支持更高的工作頻率以減小外部元件尺寸。
　　RS3236-1.5YUTDN4的主要特點是低導通電阻、快速開關速度以及出色的散熱能力。通過使用氮化鎵材料，這款晶體管能夠顯著降低傳導損耗和開關損耗，從而提高整體系統(tǒng)效率。

參數(shù)

型號：RS3236-1.5YUTDN4
　　類型：增強型氮化鎵場效應晶體管（eGaN FET）
　　Vds（漏源極電壓）：600V
　　Rds(on)（導通電阻）：150mΩ
　　Id（連續(xù)漏極電流）：1.5A
　　Qg（柵極電荷）：18nC
　　FOM（品質因數(shù)，Rds(on)*Qg）：2.7mΩ·nC
　　fsw（最大開關頻率）：5MHz
　　封裝形式：DFN4x4-8L
　　結溫范圍：-55°C至+150°C

特性

RS3236-1.5YUTDN4是一款高性能的氮化鎵晶體管，具有以下顯著特點：
　　1. 高效開關性能：得益于低Rds(on)和低Qg值，使得開關損耗和傳導損耗都降到最低。
　　2. 高工作頻率：支持高達5MHz的開關頻率，非常適合高頻應用場合。
　　3. 小型化設計：采用緊湊的DFN4x4-8L封裝，節(jié)省PCB空間。
　　4. 出色的熱性能：優(yōu)化的封裝設計提高了散熱效率，保證了器件在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定性。
　　5. 寬電壓范圍：600V的額定漏源極電壓使其能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。
　　6. 易于驅動：較低的柵極電荷簡化了驅動電路設計，降低了系統(tǒng)復雜度。
　　這些特性共同使RS3236-1.5YUTDN4成為眾多高效功率轉換應用的理想選擇。

應用

RS3236-1.5YUTDN4廣泛應用于以下領域：
　　1. 開關電源（SMPS）：包括AC-DC適配器、USB-PD充電器等。
　　2. DC-DC轉換器：用于服務器、通信設備中的高效電壓轉換。
　　3. LED驅動器：為高亮度LED提供穩(wěn)定高效的驅動方案。
　　4. 無線充電模塊：實現(xiàn)更高效率和更小體積的無線充電解決方案。
　　5. 汽車電子：如車載充電器、OBC（On-Board Charger）等。
　　6. 工業(yè)控制：如伺服電機驅動、逆變器等需要高頻切換的應用。
　　由于其高效率和高頻率的特點，RS3236-1.5YUTDN4特別適合對空間和效率有嚴格要求的設計。