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RS2G00XM 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 22:05:38 查看 閱讀:9

RS2G00XM 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器等高效率功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提升整體性能。
  RS2G00XM 屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合,其優(yōu)化設(shè)計(jì)使其在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:40A
  導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
  柵極電荷:38nC
  開(kāi)關(guān)時(shí)間:典型值 9ns(開(kāi)啟),15ns(關(guān)閉)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

RS2G00XM 的核心優(yōu)勢(shì)在于其卓越的電氣性能和可靠性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳輸,減少了熱損耗。
  2. 快速的開(kāi)關(guān)速度使其適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)景,同時(shí)降低了電磁干擾。
  3. 高溫適應(yīng)性保證了在惡劣環(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
  4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管進(jìn)一步增強(qiáng)了其在同步整流中的表現(xiàn)。
  5. 小型化的封裝設(shè)計(jì)有助于減少 PCB 空間占用,便于系統(tǒng)集成。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子領(lǐng)域,包括但不限于以下方面:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)
  2. 電動(dòng)工具及家用電器的電機(jī)驅(qū)動(dòng)
  3. 新能源汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換模塊
  5. 光伏逆變器及其他可再生能源相關(guān)設(shè)備

替代型號(hào)

IRF2807,
  STP40NF06L,
  FDP057N06L

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