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時(shí)間：2025/4/29 17:10:44
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RR1LAM4STR 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效功率開關(guān)晶體管，主要應(yīng)用于高頻電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的封裝工藝和半導(dǎo)體技術(shù)，能夠提供卓越的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)高效率和高功率密度的設(shè)計(jì)。
RR1LAM4STR 的設(shè)計(jì)使其特別適合于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源（SMPS）、無線充電設(shè)備以及其他需要高頻工作的應(yīng)用場(chǎng)合。
額定電壓：650V
額定電流：4A
導(dǎo)通電阻：160mΩ
柵極電荷：25nC
開關(guān)頻率：最高支持至5MHz
工作溫度范圍：-55℃至+150℃
封裝形式：TO-252
RR1LAM4STR 提供了以下關(guān)鍵特性：
1. 高效的 GaN 技術(shù)確保更低的開關(guān)損耗和更高的系統(tǒng)效率。
2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 有效減少傳導(dǎo)損耗。
3. 支持高達(dá) 5MHz 的開關(guān)頻率，顯著減小無源元件的尺寸，提高功率密度。
4. 內(nèi)置保護(hù)功能，包括過溫保護(hù)和短路保護(hù)，增強(qiáng)可靠性。
5. 完全兼容標(biāo)準(zhǔn) MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程。
6. 具備優(yōu)異的熱性能，適用于高溫環(huán)境下的長期穩(wěn)定運(yùn)行。
RR1LAM4STR 廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景：
1. 高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 開關(guān)電源（SMPS），例如適配器和充電器。
3. 無線充電模塊中的功率傳輸部分。
4. 工業(yè)級(jí) AC-DC 轉(zhuǎn)換設(shè)備。
5. 汽車電子中的車載充電器和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
6. 可再生能源領(lǐng)域的逆變器和功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。
RR1LAM4STRP
RR1LAM4STQ
