RQ3E160ADTB 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,由知名半導(dǎo)體公� Rohm 生產(chǎn)。該器件采用 TO-252 封裝形式,適用于各種需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場�。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和柵極電荷等關(guān)鍵參�(shù),能夠在高頻開關(guān)�(yīng)用中提供出色的效率和可靠��
RQ3E160ADTB 的工作電壓范圍較�,能夠滿足多種工�(yè)、汽車及消費(fèi)電子�(lǐng)域的需�。由于其低導(dǎo)通電阻特�,該 MOSFET 特別適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池管理等應(yīng)用�
漏源擊穿電壓�40V
連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻(典型值)�16mΩ
柵極電荷�9nC
最大工作結(jié)溫:175�
封裝形式:TO-252
RQ3E160ADTB 具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻:在高電流�(yīng)用中減少功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)性能:得益于低柵極電荷設(shè)�(jì),使得該 MOSFET 在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
3. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(zhì)量控制和測試,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
4. 廣泛的工作電壓范圍:支持高達(dá) 40V 的漏源擊穿電壓,適用于多種應(yīng)用場��
5. 小型封裝:TO-252 封裝節(jié)� PCB 空間,便于設(shè)�(jì)靈活布局�
6. 高溫性能:最大工作結(jié)溫可�(dá) 175�,適合高溫環(huán)境下使用�
RQ3E160ADTB 的典型應(yīng)用包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. DC-DC �(zhuǎn)換器:用于降壓或升壓�(zhuǎn)換電路中的功率開�(guān)�
2. �(fù)載開�(guān):實(shí)�(xiàn)�(duì)不同�(fù)載的有效通斷控制�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):為小型直流電機(jī)提供高效的驅(qū)�(dòng)能力�
4. 電池管理系統(tǒng):用于電池保�(hù)和充放電管理電路�
5. 開關(guān)電源:作為主功率開關(guān),應(yīng)用于適配器和充電��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC)中的開�(guān)元件�
RQ3E160ADTBR, RQ3E160ADT