RP122K321D-TR 是一款由 ROHM 公司生產的低導通電阻 P 溝道 MOSFET。該器件采用先進的制造工藝設計,具有優(yōu)異的開關性能和低功耗特性。它通常用于需要高效能、小尺寸以及高可靠性的電路中,例如負載開關、電源管理模塊、電機驅動以及保護電路等。此型號采用了 DFN563 封裝形式,有助于節(jié)省 PCB 空間并提高散熱性能。
該芯片具備快速開關能力,同時提供較低的導通電阻 (RDS(on)),從而減少功率損耗,非常適合電池供電設備或需要高效率轉換的應用場景。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:-4.7A
導通電阻(典型值):38mΩ
柵極電荷:20nC
輸入電容:290pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝形式:DFN563 (SOT-885)
RP122K321D-TR 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電阻 (RDS(on)),在 VGS=-4.5V 時為 38mΩ,能夠顯著降低導通狀態(tài)下的功耗。
2. 快速開關速度,適合高頻應用環(huán)境。
3. 超小型封裝 DFN563,便于實現高密度設計。
4. 支持較寬的工作溫度范圍 (-55℃ 至 +150℃),適用于各種惡劣環(huán)境條件。
5. 高可靠性設計,具備良好的電氣特性和熱穩(wěn)定性。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
RP122K321D-TR 廣泛應用于多種電子領域,包括但不限于:
1. 移動設備中的負載開關,如智能手機和平板電腦。
2. 各類便攜式電子產品中的電源管理單元 (PMU)。
3. 開關電源適配器及 DC/DC 轉換器。
4. 電池管理系統 (BMS),用作充放電控制開關。
5. 電機驅動電路中的功率級元件。
6. 過流保護和短路保護電路中的關鍵組件。
7. 工業(yè)自動化設備中的信號隔離與切換功能。
RP120P03LE-TR, BSS84P, AO3401A