RP122K281D-TR 時(shí)間：2025/5/24 17:19:05 閱讀：8

RP122K281D-TR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減少能量損耗。
　　此型號(hào)屬于增強(qiáng)型 N 溝道 MOSFET，其封裝形式為 TO-252（DPAK），適合表面貼裝技術(shù)（SMT）應(yīng)用。RP122K281D-TR 的設(shè)計(jì)使其能夠在高頻開關(guān)條件下保持良好的性能，并且具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：40A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：2.8mΩ
　　柵極電荷：39nC
　　總電容（輸入電容）：1370pF
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　功耗：20W

特性

RP122K281D-TR 具備以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。
　　2. 高電流承載能力，支持高達(dá) 40A 的連續(xù)漏極電流，滿足大功率應(yīng)用需求。
　　3. 快速開關(guān)速度，減少了開關(guān)損耗，特別適用于高頻應(yīng)用。
　　4. 小型化的 DPAK 封裝，便于在緊湊型設(shè)計(jì)中使用。
　　5. 寬廣的工作溫度范圍，確保在極端環(huán)境下也能可靠運(yùn)行。
　　6. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
　　7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

RP122K281D-TR 可用于多種電力電子設(shè)備和系統(tǒng)中：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
　　4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的負(fù)載開關(guān)或保護(hù)開關(guān)。
　　5. LED 驅(qū)動(dòng)器中的功率調(diào)節(jié)器件。
　　6. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊。
　　7. 汽車電子系統(tǒng)中的直流電機(jī)控制和其他功率管理任務(wù)。