RP114K281D-TR 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)芯片,廣泛應用于電源管理、開關電路和功率放大等場景。該芯片屬于 N 溝道增強型器�,具有低導通電�、高開關速度和優(yōu)異的熱性能特點。RP114K281D-TR 主要用于需要高效能�(zhuǎn)換和低功耗的應用場合,適合驅(qū)動電機、LED 和其他負��
最大漏源電�(Vds)�60V
柵極源極電壓(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�53A
導通電�(Rds(on))�1.5mΩ
總功�(Ptot)�17W
工作溫度范圍(Tj)�-55� to +175�
封裝形式:TO-263-3
RP114K281D-TR 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導損��
2. 高開關速度,能夠滿足高頻應用的需求�
3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�
4. 高浪涌能�,增強了器件在異常條件下的耐受性�
5. 封裝緊湊,易于安裝和散熱設計�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠性高�
RP114K281D-TR 的典型應用場景包括:
1. 開關電源(SMPS)中的功率開��
2. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
3. LED 照明系統(tǒng)的恒流控��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
5. 電池管理系統(tǒng)中的保護和均衡功��
6. 各種需要高性能功率管理的電子設��
RP114K280D-TR, IRF2814PBF, FDP150N06L