RN1131MFV L3LCFF(T) 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高頻功率轉(zhuǎn)換芯�,專(zhuān)為高效率、小尺寸電源�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片集成了高效的�(qū)�(dòng)器和功率晶體管,適用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載點(diǎn) (POL) �(zhuǎn)換等�(chǎng)景�
其封裝形式為L(zhǎng)3LCFF(T),具有低寄生電感和高散熱性能的特�(diǎn),能夠顯著提升整體系�(tǒng)的效率與�(wěn)定��
型號(hào):RN1131MFV
封裝:L3LCFF(T)
最大工作電壓:600V
�(dǎo)通電阻:150mΩ
最大電流:8A
柵極�(qū)�(dòng)電壓�4.5V~6V
�(kāi)�(guān)頻率:最高可�(dá)5MHz
�(jié)溫范圍:-40℃~+150�
封裝尺寸�3.9mm x 3.9mm
RN1131MFV是一款高性能氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體� (GaN FET),采用先�(jìn)的增�(qiáng)型技�(shù)制��
1. 高開(kāi)�(guān)頻率:得益于氮化鎵材料的�(dú)特性質(zhì),RN1131MFV能夠在高�(dá)5MHz的頻率下�(yùn)�,遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)硅基器件,從而減少磁性元件體積并降低系統(tǒng)成本�
2. 低導(dǎo)通電阻:150mΩ的導(dǎo)通電阻使其在高電流應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色,同�(shí)降低了傳�(dǎo)損耗�
3. 小型化封裝:L3LCFF(T)封裝不僅減小了芯片的物理尺寸,還通過(guò)�(yōu)化引腳布局�(jìn)一步減少了寄生電感,提高了高頻性能�
4. 熱性能�(yōu)異:該芯片具備良好的散熱能力,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定工�,適合對(duì)可靠性要求較高的工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(shè)��
5. 易于�(qū)�(dòng):較低的柵極�(qū)�(dòng)電壓范圍�4.5V~6V)使得RN1131MFV可以與大多數(shù)�(xiàn)有驅(qū)�(dòng)電路兼容,簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)流程�
RN1131MFV廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和小型化的�(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS)�
- 小型適配�
- 快速充電器
2. DC-DC�(zhuǎn)換器�
- 筆記本電腦電源管�
- 通信基站中的�(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�
- 消費(fèi)�(lèi)家電中的小型電機(jī)控制
- 工業(yè)自動(dòng)化中的伺服驅(qū)�(dòng)
4. 其他�(lǐng)域:
- 固態(tài)照明 (SSL)
- 太陽(yáng)能微型逆變�
這些�(yīng)用均受益于RN1131MFV的高效率和高頻操作特性,可實(shí)�(xiàn)更緊�、更輕便的設(shè)�(jì)方案�
RN1132MFV, RN1130MFV