RL202-B是一款高性能的功率MOSFET晶體管,主要用于開關(guān)和放大應(yīng)用。該器件采用TO-252封裝形式,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能等優(yōu)點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及各種需要高效能開關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景中。
RL202-B屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,能夠承受較高的漏源電壓,并在高頻工作條件下保持較低的功耗。其卓越的電氣特性使其成為許多設(shè)計(jì)工程師的理想選擇。
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:4.3A
導(dǎo)通電阻:0.18Ω
總功耗:1.7W
工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃
1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低功率損耗。
2. 高速開關(guān)能力,適用于高頻電路。
3. 良好的熱穩(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下可靠運(yùn)行。
4. 小型化的TO-252封裝,節(jié)省PCB空間。
5. 提供出色的電氣保護(hù)功能,如過流保護(hù)和短路保護(hù)。
6. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)多種惡劣環(huán)境條件。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及降壓/升壓模塊。
3. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
4. 電機(jī)控制與驅(qū)動(dòng)電路。
5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號(hào)切換。
6. 通信設(shè)備中的電源管理部分。
7. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率調(diào)節(jié)單元。
IRF540N
STP4NB60Z
FDP5800