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RHTVSHF0721N-S 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 13:13:29 查看 閱讀�5

RHTVSHF0721N-S 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)等場景。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低功��
  其封裝形式為 TO-252(DPAK�,適用于表面貼裝技�(shù)(SMT�,具備良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性�

參數(shù)

型號:RHTVSHF0721N-S
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源極電壓(Vds):60V
  最大柵源極電壓(Vgs):±20V
  最大漏極電流(Id):30A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,Vgs=10V�(shí)�
  總功耗(Ptot):1.8W
  工作溫度范圍(Tj):-55°C � +175°C
  封裝:TO-252(DPAK�

特�

RHTVSHF0721N-S 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,這使其在功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
  1. 低導(dǎo)通電阻(Rds(on)):僅為4.5mΩ,可有效減少�(dǎo)通損�,提升整體效��
  2. 快速開�(guān)特性:由于較低的輸入電容和輸出電容,器件的開關(guān)速度更快,適合高頻應(yīng)��
  3. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格測�,確保在極端溫度條件下的�(wěn)定性和耐用性�
  4. 熱性能�(yōu)化:TO-252 封裝提供出色的散熱能�,支持高功率密度�(shè)�(jì)�
  5. ESD保護(hù):內(nèi)置ESD防護(hù)電路,增�(qiáng)抗靜電能�,提高系�(tǒng)魯棒��

�(yīng)�

RHTVSHF0721N-S 可應(yīng)用于多種�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):包括AC-DC適配器、DC-DC�(zhuǎn)換器��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無刷直流電�(jī)(BLDC)和其他小型電機(jī)控制�
  3. �(fù)載開�(guān):在便攜式電子設(shè)備中作為高效的負(fù)載開�(guān)�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池保護(hù)和充放電控制�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化:如PLC模塊、傳感器接口等需要高效功率切換的場合�

替代型號

RHRP120N06AE,
  RHTR120N06,
  IRFZ44N,
  FDP5580

rhtvshf0721n-s推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 詢價(jià)