RHTVSDF02R521N-S 是一款高性能的貼片式功率 MOSFET,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用。其封裝形式� DFN8,能夠提供卓越的電氣特性和可靠��
該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET 系列,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備中�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�13A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�47nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:DFN8
RHTVSDF02R521N-S 具有低導(dǎo)通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。同�(shí),其高開�(guān)速度使得它非常適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。此�,器件內(nèi)置了 ESD 保護(hù)功能以增�(qiáng)�(wěn)定性,并且采用了無鉛材�,符� RoHS �(biāo)�(zhǔn)�
� MOSFET 的熱阻較�,可以有效降低運(yùn)行時(shí)的結(jié)�,從而延長使用壽�。并且由于其緊湊的封裝設(shè)�(jì),在 PCB 布局上更加靈��
該器件主要應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 適配器、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路、電池管理系�(tǒng)(BMS)、負(fù)載開�(guān)以及 LED �(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。在這些�(yīng)用中,RHTVSDF02R521N-S 可以提供高效、可靠的功率控制解決方案�
RHTVSDF02R521N-T, RHTVSDF02R521N-D