RHRD660S9R 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生�(chǎn)的高� MOSFET,屬� STPOWER 系列。該器件采用了先�(jìn)的功率技�(shù)制�,具有出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,適用于多種高電壓�(yīng)用場�。這款 MOSFET 的額定電壓為 650V,廣泛用于工�(yè)電源、電�(jī)�(qū)動、LED �(qū)動器和太陽能逆變器等場景�
RHRD660S9R 的封裝形式為 TO-247,這種封裝提供了良好的散熱性能,使其能夠承受較高的功率�(fù)�。此外,該器件還具備快速開�(guān)速度和低柵極電荷特�,有助于提高系統(tǒng)的效率并降低電磁干擾(EMI��
類型:MOSFET
額定電壓�650V
額定電流�9A
�(dǎo)通電阻(最大值)�1.3Ω
柵極電荷�28nC
連續(xù)漏極電流�9A
封裝:TO-247
RHRD660S9R 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 高擊穿電壓:其額定電壓為 650V,能夠在高電壓環(huán)境下�(wěn)定工作�
2. 低導(dǎo)通電阻:在典型的工作條件�,該器件的導(dǎo)通電阻僅� 1.3Ω,有助于減少�(dǎo)通損耗�
3. 快速開�(guān)速度:低柵極電荷和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)使得 RHRD660S9R 能夠?qū)崿F(xiàn)快速開�(guān),從而提高系�(tǒng)效率�
4. �(yōu)異的熱性能:采� TO-247 封裝,提供卓越的散熱能力,可有效降低�(jié)�,延長器件壽��
5. �(qiáng)大的抗雪崩能力:具備�(yōu)秀的抗雪崩能力,能夠在異常條件下保�(hù)電路�
RHRD660S9R 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動:如伺服電�(jī)和步�(jìn)電機(jī)�(qū)動器�
3. LED 照明:用于大功率 LED �(qū)動器�
4. 太陽能逆變器:在光伏系�(tǒng)中作為關(guān)鍵的功率開關(guān)元件�
5. 電池充電器和其他電力電子�(shè)備:� UPS 和焊接設(shè)��
RHRD650S9R, IRFP460, STW14NM65H