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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > RGT30NS65DGTL

RGT30NS65DGTL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 14:09:55 查看 閱讀�20

RGT30NS65DGTL是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開(kāi)�(guān)速度和出色的雪崩能力等特�。它廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)域�
  RGT30NS65DGTL的最大漏源電壓為650V,適用于高電壓環(huán)境下的各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。同�(shí),其緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間,非常適合對(duì)尺寸有嚴(yán)格要求的�(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:0.18Ω
  柵極電荷�29nC
  總電容:2470pF
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻使得傳�(dǎo)損耗顯著降�,從而提高了整體效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)性能減少了開(kāi)�(guān)損耗,非常適合高頻�(yīng)��
  3. 高雪崩能量能力增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性�
  4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
  5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性確保了器件在高溫環(huán)境下仍能保持高性能�
  6. 提供多種保護(hù)功能,如�(guò)流保�(hù)和短路耐受能力�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān)
  5. PFC(功率因�(shù)校正)電�
  6. 各類工業(yè)和消�(fèi)電子�(shè)備中的功率管理模�

替代型號(hào)

IRF840,
  STP30NF65,
  FDP30N65S,
  IXTH30N65L2

rgt30ns65dgtl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

rgt30ns65dgtl資料 更多>

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rgt30ns65dgtl參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �18.13000剪切帶(CT�
  • 系列-
  • 包裝剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)不適用于新設(shè)�(jì)
  • IGBT 類型溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)650 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)30 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)45 A
  • 不同?Vge、Ic �(shí)?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V�15A
  • 功率 - 最大�133 W
  • �(kāi)�(guān)能量-
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)
  • 柵極電荷32 nC
  • 25°C �(shí) Td(開(kāi)/�(guān))�18ns/64ns
  • �(cè)試條�400V�15A�10 歐姆�15V
  • 反向恢復(fù)�(shí)� (trr)55 ns
  • 工作溫度-40°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak�2 引線 + 接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商器件封�LPDS