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RFP3055LE 發(fā)布時間 時間:2025/5/31 1:33:29 查看 閱讀:8

RFP3055LE 是一款 N 沃特 (Nexperia) 公司生產(chǎn)的 N 溝道功率場效應(yīng)晶體管 (MOSFET),采用 TO-252 封裝形式。該器件以其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度著稱,非常適合用于各種電源管理、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載切換應(yīng)用。其額定電壓為 55V,連續(xù)漏極電流高達(dá) 16A(在合適的散熱條件下),并且具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠性。
  該 MOSFET 的設(shè)計使其成為消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備和汽車應(yīng)用的理想選擇。此外,RFP3055LE 還具備邏輯電平柵極驅(qū)動能力,可以與標(biāo)準(zhǔn) CMOS 或 TTL 輸出接口兼容。

參數(shù)

最大漏源電壓:55V
  最大連續(xù)漏極電流:16A
  最大柵源電壓:±20V
  典型導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):40mΩ @ Vgs=10V
  總功耗:79W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特性

RFP3055LE 的主要特性包括低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) 和高效率性能。它在 10V 柵極驅(qū)動電壓下的典型導(dǎo)通電阻僅為 40mΩ,從而顯著減少了傳導(dǎo)損耗。此外,它的快速開關(guān)能力和低柵極電荷使得其在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
  該器件還具有出色的熱性能,能夠承受較高的結(jié)溫 (最高可達(dá) 150°C),這有助于提高系統(tǒng)的可靠性和壽命。同時,RFP3055LE 支持邏輯電平驅(qū)動,簡化了電路設(shè)計并降低了對復(fù)雜驅(qū)動電路的需求。
  RFP3055LE 采用了符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)保材料,并且具備抗靜電保護(hù)功能 (HBM > 2kV),確保了其在制造和使用過程中的安全性。

應(yīng)用

RFP3055LE 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,例如開關(guān)電源 (SMPS)、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器、電池保護(hù)電路、LED 驅(qū)動器以及負(fù)載開關(guān)等場景。其高電流承載能力和低導(dǎo)通損耗使其特別適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換的應(yīng)用。
  在消費(fèi)電子領(lǐng)域,它可用于筆記本電腦適配器、智能手機(jī)充電器和家用電器。而在工業(yè)領(lǐng)域,RFP3055LE 則適用于工廠自動化設(shè)備、機(jī)器人控制單元和不間斷電源 (UPS) 系統(tǒng)。此外,由于其堅(jiān)固耐用的設(shè)計,這款 MOSFET 也常被用作汽車電子系統(tǒng)的組件,如電動窗控制器和座椅調(diào)節(jié)模塊。

替代型號

RFP30N06LE, IRF540N, FDP018N06L

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rfp3055le參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝400
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C11A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C107 毫歐 @ 8A,5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs11.3nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds350pF @ 25V
  • 功率 - 最大38W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
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