RFD3055是一種N溝道功率MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其采用TO-220封裝形式,適合于高電流和高電壓應(yīng)用環(huán)��
RFD3055通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了出色的熱性能和電氣性能,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的功率管理任�(wù)�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�58A
�(dǎo)通電阻:1.7mΩ
總柵極電荷:49nC
輸入電容�2020pF
功耗:175W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
RFD3055具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可顯著減少傳�(dǎo)損��
2. 高電流承載能力,支持高達(dá)58A的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開(kāi)�(guān)特�,有助于提高�(zhuǎn)換效率并降低電磁干擾�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)��
5. 具備�(yōu)異的雪崩能力和魯棒性,增強(qiáng)了器件在異常條件下的保護(hù)性能�
6. TO-220封裝形式便于安裝和散熱設(shè)�(jì)�
RFD3055憑借這些特性成為高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
RFD3055適用于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
2. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中的電子�(kāi)�(guān)�
3. 汽車(chē)電子�(shè)備中的負(fù)載切��
4. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的功率管理模塊�
5. 各種需要高電流、低損耗開(kāi)�(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)��
由于其高性能表現(xiàn),RFD3055被廣泛用于對(duì)效率和可靠性要求較高的�(chǎng)��
IRF3205
FDP178N6S
STP55NF06L