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RFD3055 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 11:23:06 查看 閱讀�6

RFD3055是一種N溝道功率MOSFET晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換等�(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其采用TO-220封裝形式,適合于高電流和高電壓應(yīng)用環(huán)��
  RFD3055通過(guò)�(yōu)化的芯片�(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)了出色的熱性能和電氣性能,適用于多種工業(yè)和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的功率管理任�(wù)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�58A
  �(dǎo)通電阻:1.7mΩ
  總柵極電荷:49nC
  輸入電容�2020pF
  功耗:175W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

RFD3055具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可顯著減少傳�(dǎo)損��
  2. 高電流承載能力,支持高達(dá)58A的連續(xù)漏極電流�
  3. 快速開(kāi)�(guān)特�,有助于提高�(zhuǎn)換效率并降低電磁干擾�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)��
  5. 具備�(yōu)異的雪崩能力和魯棒性,增強(qiáng)了器件在異常條件下的保護(hù)性能�
  6. TO-220封裝形式便于安裝和散熱設(shè)�(jì)�
  RFD3055憑借這些特性成為高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

RFD3055適用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)�
  2. 電機(jī)控制和驅(qū)�(dòng)電路中的電子�(kāi)�(guān)�
  3. 汽車(chē)電子�(shè)備中的負(fù)載切��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的功率管理模塊�
  5. 各種需要高電流、低損耗開(kāi)�(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)��
  由于其高性能表現(xiàn),RFD3055被廣泛用于對(duì)效率和可靠性要求較高的�(chǎng)��

替代型號(hào)

IRF3205
  FDP178N6S
  STP55NF06L

rfd3055推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

rfd3055資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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  • RFD3055
  • 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-...
  • FAIRCHILD
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  • RFD3055
  • 11A, 60V, 0.107 Ohm, Logic Level, N-...
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rfd3055參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝75
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C12A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C150 毫歐 @ 12A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs23nC @ 20V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds300pF @ 25V
  • 功率 - 最�53W
  • 安裝�(lèi)�通孔
  • 封裝/外殼TO-251-3 短引�,IPak,TO-251AA
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�I-Pak
  • 包裝管件