RF18N150F500CT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高電子遷移率晶體� (HEMT),專為高�、高效能應用設計。該器件采用先進的 GaN-on-Silicon 技�,能夠提供更高的開關速度和更低的導通電阻,適用于射頻功率放大器、DC-DC 轉換器以及其他需要高性能的場��
RF18N150F500CT 在封裝方面采用了符合行業(yè)標準� TO-247 封裝,便于集成到各種功率電路�。此外,其出色的散熱性能和可靠性使得它在工�(yè)、通信和汽車領域中具有廣泛的應用潛��
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�18A
柵極電荷�23nC
導通電阻:4.5mΩ
開關頻率:高� 5MHz
結溫范圍�-55� � +175�
RF18N150F500CT 的主要特點是低導通電阻和高開關頻率,這使其能夠在高頻條件下保持高效率。相比傳�(tǒng)的硅� MOSFET,該器件具有更小的寄生電感和電容,從而降低了開關損耗。此�,GaN 材料的使用使得器件能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運行,同時提供了更高的功率密度�
這款芯片還具備快速的開關速度和較低的柵極驅動需求,進一步簡化了驅動電路設計。由于其�(yōu)異的熱性能和耐用�,RF18N150F500CT 非常適合對可靠性和效率要求較高的應用場��
1. 射頻功率放大器,用于無線通信基站和其他射頻設��
2. DC-DC 轉換器和 AC-DC 轉換�,特別是在服務器電源和電信電源中�
3. 電動車輛 (EV) 和混合動力車� (HEV) 的車載充電器及電機控制器�
4. 工業(yè)自動化設備中的開關電源和逆變��
5. 激光雷� (LiDAR) 系統(tǒng)中的脈沖功率模塊�
這些應用充分利用� RF18N150F500CT 的高頻特性和高效率優(yōu)��
RF18N150F400CT, RF18N150F600CT